石井 辰弥 | 神奈川大学工

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• 石井 辰弥

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• 山口 栄雄

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• 本間 秀幸

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• 石井 辰弥

  神奈川大学大学院工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大学ハイテクリサーチセンター

• 山口 栄雄

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• 本間 秀幸

  神奈川大学大学院工学研究科

• 安原 重雄

  (株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

• 下山 紀男

  (株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ

• 山口 栄雄

  神奈川大学大学院工学研究科

• 石井 辰弥

  神奈川大工

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著作論文

• C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

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