C-6-6 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-03-06

著者

• 山口 栄雄

  神奈川大工

• 石井 辰弥

  神奈川大学工

• 石井 辰弥

  神奈川大工

• 石井 孝幸

  神奈川大工

関連論文

• C-6-4 微小先端を有するペルチェデバイスの過渡特性評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-3 ペルチェモジュールを用いた微小物体の冷却と加熱(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-10 InSb系熱電発電および熱電冷却デバイスの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-8 InNおよびGaInN単結晶薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-9 InN薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-8 III-V族化合物半導体熱電デバイス(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-13 InSb薄膜熱電特性のキャリア濃度依存性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• C-6-11 III-V族化合物半導体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• C-6-11 直列形サンドイッチ構造ペルチェ素子の作製と温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-8 直列サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-12 サンドイッチ構造ペン型ペルチェメスの時定数評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-11 点接触型ペルチェ素子の内部抵抗と時定数(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-12 数値計算によるInSbの熱電特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• III族窒化物半導体における熱電気現象に関する研究
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• コンピュータプログラムを用いたプライマーの設計と特異性予測
• 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
• C-6-5 PNサンドイッチ型ペルチェ素子を用いた高速熱サイクラーの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-4 PNサンドイッチ型可搬熱サイクラーの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-3 レーザードップラー振動計を用いたペルチェ素子の振動測定評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-8 PN直接駆動型可搬サーマルサイクラーの作製とDNA増幅(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• コンピュータプログラムを用いたプライマーの設計と特異性予測
• C-6-6 PN直接駆動型可搬サーマルサイクラーの温度制御(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-6 InSbTe系薄膜ペルチェ素子の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-13 PN直接駆動型サーマルサイクラーによるDNA変性の温度依存性(C-6.電子部品・材料)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク