C-6-8 III-V族化合物半導体熱電デバイス(C-6.電子部品・材料,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
著者
-
山本 淳
日本電信電話株式会社ntt未来ねっと研究所
-
山崎 純
神奈川大学工
-
山口 栄雄
神奈川大工
-
山崎 純
神奈川大工
-
山本 淳
(独)産業技術総合研究所
-
貝和 央
神奈川大工
-
山本 淳
産業技術総合研
-
山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
-
山本 淳
産総研
関連論文
- 三元系アンチモン化物LaCu_Sb_2の熱電特性
- 遷移金属-ガリウム系化合物の熱電特性と発電素子の試作
- 28aPS-4 CeRhAsの電子線回折
- 25aSF-13 RB_6(R=Ca,Ba)系の高温物性の研究
- C-6-9 サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- エージェントアプリケーションへのP2Pプラットフォームの適用(MBL10:アーキテクチャ/プラットフォーム)
- B-6-112 創発型ネットワーキングアーキテクチャJa-Netにおけるプライバシ保護方式(B-6. ネットワークシステム)
- B-5-1 高度ユビキタス環境のためのJa-Netアーキテクチャ(B-5.無線通信システムA(移動通信))
- 実空間を発端とする動的なコミュニティ形成支援アプリケーションのJa-Netへの実装(デモセッション)
- 実空間センサ情報を用いたエンターテインメントアプリケーションのJa-Netへの実装(デモセッション)
- 動的な環境に適応可能な創発型アプリケーションのためのフレームワーク(サービス指向コンピューティング)
- Sm系及びCe系充填スクッテルダイト化合物の熱電特性
- 30aZA-2 高圧装置を用いたスクッテルダイト化合物の単結晶育成
- Bi-Te系熱電材料のせん断付加押し出し
- 円筒形状熱電モジュールの発電特性解析
- Si-Ge系量子井戸構造の熱電特性 (特集 応用の拡がる熱電変換素子の新展開)
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- 発電用熱電モジュールのV-I特性からみた素子構成に関する研究
- 200℃級熱電発電システムのエネルギー収支の検討
- バルクMAにより創製される(Bi_2Te_3)_(Sb_2Te_3)_熱電材料特性のプロセス依存性
- 熱電半導体材料の性能評価に関する研究
- 量子井戸構造薄膜の熱電輸送特性
- B-7-5 実世界データ共有機構に基づくサービスアーキテクチャ(B-7.情報ネットワーク,一般セッション)
- B-7-6 実世界データ共有機構に基づくサービス開発支援ツール(B-7.情報ネットワーク,一般セッション)
- B-7-149 スケーラビリティを考慮した広域ユビキタスプラットフォーム実装方式(B-7. 情報ネットワーク,一般セッション)
- B-7-148 広域ユビキタスネットワークの特徴を考慮したプラットフォーム構成(B-7. 情報ネットワーク,一般セッション)
- B-7-147 広域ユビキタスプラットフォームの提案(B-7. 情報ネットワーク,一般セッション)
- B-7-141 広域ユビキタスネットワーク構成技術とプラットフォーム技術の提案(B-7. 情報ネットワーク,一般セッション)
- C-6-4 微小先端を有するペルチェデバイスの過渡特性評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-3 ペルチェモジュールを用いた微小物体の冷却と加熱(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-10 InSb系熱電発電および熱電冷却デバイスの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-8 InNおよびGaInN単結晶薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-9 InN薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-8 III-V族化合物半導体熱電デバイス(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-13 InSb薄膜熱電特性のキャリア濃度依存性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-11 III-V族化合物半導体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- 29a-K-3 II-VI族量子井戸構造の高密度励起下における時間分解分光
- B-20-4 疎な広域ユビキタスデータに対する空間補完の改善方式(B-20.ユビキタス・センサネットワーク,一般セッション)
- B-20-15 疎な広域ユビキタスデータに対する空間補完の適用性評価(B-20.ユビキタス・センサネットワーク,一般セッション)
- エージェントアプリケーションへのP2Pプラットフォームの適用(MBL10:アーキテクチャ/プラットフォーム)
- C-6-11 直列形サンドイッチ構造ペルチェ素子の作製と温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-8 直列サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- OTECにおける不凝縮ガス濃度測定と可能性
- CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
- 米国ワシントン州リッチランド 滞在記
- OTECにおける不凝縮ガス濃度測定について
- C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- サーマルプローブを用いた微小領域熱物性測定装置の開発
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- C-6-12 サンドイッチ構造ペン型ペルチェメスの時定数評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-11 点接触型ペルチェ素子の内部抵抗と時定数(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-12 数値計算によるInSbの熱電特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- 流体熱源を利用した熱電発電システムのエネルギー収支の検討
- C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- III族窒化物半導体における熱電気現象に関する研究
- Cu-Ni/Ru素子におけるペルチェ効果に対するCu-Ni膜厚の影響
- CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
- コンピュータプログラムを用いたプライマーの設計と特異性予測
- 動的リンク機能を利用した実行中プログラムの部分入替えにおけるプログラム状態把握法(システムプログラム)
- 高効率熱電変換材料調査専門委員会
- C-6-5 PNサンドイッチ型ペルチェ素子を用いた高速熱サイクラーの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 PNサンドイッチ型可搬熱サイクラーの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-3 レーザードップラー振動計を用いたペルチェ素子の振動測定評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-8 PN直接駆動型可搬サーマルサイクラーの作製とDNA増幅(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- B-19-31 多次元階層型集合でのランキング提示によるサービスへの参加意欲向上手法(B-19.ユビキタス・センサネットワーク,一般セッション)
- ユビキタスデータ共有機構uTupleSpaceの提案とフィールド実験への適用評価 (ユビキタス・センサネットワークを支えるシステム開発論文特集)
- 不完全センサデータの重回帰における変数選択手法 (ユビキタス・センサネットワーク)
- ユビキタスデータ共有機構uTupleSpaceの提案とフィールド実験への適用評価(ユビキタスネットワーク,ユビキタス・センサネットワークを支えるシステム開発論文)
- コンピュータプログラムを用いたプライマーの設計と特異性予測
- C-6-6 PN直接駆動型可搬サーマルサイクラーの温度制御(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- RM-001 参加型センシングのためのデータ精度を考慮した仮想センサの提案(センサ応用と無線リソース管理,M分野:ユビキタス・モバイルコンピューティング)
- C-6-7 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 InSbTe系薄膜ペルチェ素子の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 6pXC-14 Ce1-xLaxOs4P12(0〓x〓0.3)の熱電特性(重い電子系(スクッテルダイト),領域8)
- 24aPS-41 SmOs_4P_の電子物性と熱電特性(24aPS 4f・5f電子系,重い電子系,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- C-6-13 PN直接駆動型サーマルサイクラーによるDNA変性の温度依存性(C-6.電子部品・材料)
- 参加型センシングにおけるセンシング誤差を考慮したサンプリングレート制御手法