電子ビーム蒸着法およびスパッタ法によるBi_xTe_y系合金薄膜の作製と評価
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概要
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We studied the electrical properties of (BixTey+Sb) alloyed thin films and (BixTey+Cd) alloyed thin films. They were prepared on a SiO2 glass substrate by electron beam evaporation and radio-frequency spattering method. The values of voltage sensitivity were 0.71 [mV], 43.91 [mV], and 78 [mV/W] for 0.5-μm-thick Bi2Te2.4, 0.5-μm-thick Bi2Cd2.6Te5.5, and 0.1-μm-thick Bi2Sb1.9Te4.9, respectively, and the minimum value of noise equivalent power was 6.46×10-5 [W/Hz1/2] for 0.1-μm-thick Bi2Sb1.9Te4.9 at a biased current of 10 [mA], and a blackbody furnace temperature was 1000 [°C]. The maximum value of power factor was 1.15×10-3 W/mK2 at 450 K for Bi2Te2.4, 2.46×10-4 W/mK2 at 550 K for Bi2Te3.6+InSb6, and 8.90×10-6 W/mK2 at 550 K for InSb2.2.
- 2009-03-20
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