天野 浩 | 名城大学
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概要
関連著者
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天野 浩
名城大学
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天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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天野 浩
名古屋大学
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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本田 善央
名古屋大学
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山口 雅史
名古屋大学
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科
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久志本 真希
名古屋大学大学院工学研究科
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名城大学理工学研究科
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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中幡 英章
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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秋田 勝史
住友電気工業株式会社
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橋本 信
住友電気工業株式会社
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中幡 英章
住友電気工業(株)伊丹研究所
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中幡 英章
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
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中幡 英章
住友電気工業
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田辺 達也
住友電気工業
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谷川 智之
名古屋大学工学研究科
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竹田 健一郎
名城大学
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秋田 勝史
住友電気工業
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橋本 信
住友電気工業
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福山 敦彦
宮崎大工
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碇 哲雄
宮崎大工
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天野 浩
名城大
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竹田 健一郎
名城大・理工
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天野 浩
名古屋大 大学院工学研究科
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天野 浩
赤崎記念研究セ
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター
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山口 雅史
名古屋大学大学院工学研究科
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天野 浩
名古屋大学赤崎記念研究センター
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本田 徹
工学院大学
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熊谷 義直
東京農工大学
著作論文
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望 : バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から
- 半導体の元素と周期表(ヘッドライン:周期表を読む)
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響
- AlGaN系深紫外LEDの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- AlGaN系深紫外LEDの開発 (電子部品・材料)
- AlGaN系深紫外LEDの開発 (電子デバイス)
- MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)
- 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)
- MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)
- 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)
- LED開発の現状と照明の未来(固体光源のさらなる普及と活用分野の拡大に向けて)
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
- OPIC Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA'13) 開催報告
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性