久志本 真希 | 名古屋大学大学院工学研究科

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概要

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• 同名の論文著者
• 名古屋大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 久志本 真希

  名古屋大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大学

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 谷川 智之

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター

• 山口 雅史

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 (電子部品・材料)
• Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
• Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
• Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

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