小出 典克 | 名古屋大学工学研究科
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概要
関連著者
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小出 典克
名古屋大学工学研究科
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小出 典克
名古屋大学工学部電子工学科
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彦坂 年輝
名古屋大学工学研究科
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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本田 善央
名古屋大学
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澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
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山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
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澤木 宣彦
名古屋大学
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山口 雅史
名古屋大学
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大
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天野 浩
名大工
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赤崎 勇
名大工
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赤崎 勇
名古屋大学工学部
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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平松 和政
名古屋大学工学部電子工学科
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平松 和政
三重大 工
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平松 和政
名大工
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小出 典克
名大工
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沢木 宣彦
名大工
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澤木 宣彦
名古屋大
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沢木 宣彦
名大・工
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学
著作論文
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- (00l)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング
- MOVPE法によるサファイヤ基板上へのGaN結晶成長におけるバッファ層の効果