MOVPE法によるサファイヤ基板上へのGaN結晶成長におけるバッファ層の効果

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概要

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• High quality GaN film with a smooth surface free from hillocks , pits and cracks can be grown epitaxially on a sap-phire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) usingd a thin AlN buffer layer. The initial growth stage of GaN film with and without the buffer layer is studied in detail. It is found that the most essential role of the buffer layer is ( I ) supply of the nucleation centers with the same crystal orientation as the substrate and (2) promotion of the lateral growth of GaN due to the decrease in an interfacial free energy between the substrate and the GaN film.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1989-01-25

著者

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 赤崎 勇

  名古屋大学工学部

• 小出 典克

  名古屋大学工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 平松 和政

  名古屋大学工学部電子工学科

• 小出 典克

  名古屋大学工学部電子工学科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 平松 和政

  三重大

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学

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