気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1990-07-20

著者

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 赤崎 勇

  名大・工

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 伊藤 健治

  名古屋大学工学部

• 澤木 宜彦

  名大・工

• 天野 浩

  名大・工

• 平松 和政

  名大・工

• 伊藤 健治

  名大・工

• 竹内 哲也

  名大・工

• 平松 和政

  三重大

関連論文

• LEDによるJurkat細胞への紫外線照射特性
• UVA1-LED光線療法の照射装置開発(有機材料,一般)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価 (有機エレクトロニクス)
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 青色発光デバイスはいかに創られたか
• ホログラフィによる熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの熱変形パターン計測
• 熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの接触抵抗とホログラフィによる熱変形計測
• 青色発光ダイオードを求めて
• p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• UVA1-LED光線療法の照射装置開発
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構(ヘテロエピタキシー機構)
• TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
• M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
• InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
• Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
• 気相成長
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
• 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価(有機材料,一般)
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
• LEDによる Jurkat 細胞への紫外線照射特性
• 複数個の電磁継電器を実装したプリント配線板の音響ノイズ放射特性
• ストロボホログラフィによる位相分割振動パターン計測
• 衝撃・歪み振動計測へのストロボホログラフィの応用
• 衝撃・歪み振動計測へのストロボホログラフィの応用
• 金属振動板の振動変位分布と音響放射特性の3-D図形表示による比較・検討
• ホログラフィによる金属振動板の振動変位分布とその音響放射特性との相関に関する実験的検討
• ホログラフィによる金属板の振動パターンとその音響特性との相関に関する実験的検討
• 160. ホログラム回折格子(HDGD)の作製とその回折効率に関する実験的検討
• ホログラフィック変位パターン抽出へのパラメトリックスプライン関数の応用
• ホログラム回折格子(HDGD)の3-D図形表示による回折効率の評価について
• ホログラム回折格子の作製とその回折効率に関する基礎的検討
• △形振動板の音響特性と振動パターンとの相関に関する実験的検討
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 周期溝段差基板を用いたGaN系窒化物単結晶基板の作製及び評価 : エピタキシャル成長II
• 量子井戸活性層を用いたIII族窒化物発光素子
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 分光エリプソメトリーによるIII族窒化物半導体の屈折率の波長分散の評価
• 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
• 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
• 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
• Al_x,Ga_N/GaN多層構造の作製と評価 : エピタキシーI
• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• 窒化物半導体の結晶成長と界面制御
• UHF帯アンテナ近傍の電力測定の一例
• IOCG Laudise prizeを受賞して
• Dr.Laudiseの逝去を悼む
• 西岡一水先生を偲ぶ
• 窒化物半導体と結晶成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク