平松 和政 | 名古屋大学工学部電子工学科
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概要
関連著者
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平松 和政
名古屋大学工学部電子工学科
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平松 和政
三重大 工
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
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澤木 宣彦
名古屋大学
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澤木 宣彦
名古屋大
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赤崎 勇
名古屋大学工学部
著作論文
- サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構(ヘテロエピタキシー機構)
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
- 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- Al_x,Ga_N/GaN多層構造の作製と評価 : エピタキシーI
- GaN/α-Al_2O_3の気相エピタキシーにおける応力緩和機構 : 気相成長II
- LPEE成長InGaPの成長初期の組成変動 : エピタキシーII