タングステンマスクを用いたGaN選択成長 : 気相成長IV

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概要

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• We studied selective area growth (SAG) of GaN using tungsten(W) mask. The selectivity of the GaN growth on window regions was excellent. The structures of the GaN depended on the direction of stripe patterns. If the stripe was along the <112^^-0> crystal axis, the triangular structure with {11^^-01} facets was formed. If the stripe was along the <11^^-00> axis, the trapezoidal structure with a smooth (0001) surface on the top and rough surfaces on both sides was obtained. The lateral overgrowth of GaN on the W mask occurred for the both cases.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1998-07-01

著者

• 三宅 秀人

  三重大工

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 川口 靖利

  名大・工

• 曽根 弘樹

  名古屋大学工学部電子工学料

• 川口 靖利

  三重大工

• 南部 真吾

  名古屋大工

• 曽根 弘樹

  名古屋大工

• 平松 和政

  三重大工

• 澤木 宣彦

  名古屋大工

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