GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
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概要
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GaN ELO結晶上に形成した微小ショットキー接合のI-V特性を測定した。得られた特性はn値がlに近い良好な特性と、n値が大きい不良特性との二つに分類された。n-GaAs上に形成した微小ショットキーではこのような傾向は見られず、均一でばらつきのない特性が得られた。このことから,GaNで見られた不良特性は測定系や製作プロセスに由来するものではなく,何らかの結晶欠陥に起因するものであることがわかった。CL評価を用いて、この不良特性とGaNの転位との対応を調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
大野 雄高
名大工
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
村田 智洋
名古屋大学工学研究科
-
熊田 圭一郎
名古屋大学工学研究科
-
前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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