生川 満久 | 三重大学工学部電気電子工学科

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概要

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• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 小川原 悠哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 直井 弘之

  三重大学SVBL

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 平松 和政

  三重大・工

• 家近 泰

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 生川 満久

  三重大・工

• 水谷 広光

  三重大・工

• 西山 克哉

  三重大・工

• 元垣内 敦司

  三重大・工

• 三宅 秀人

  三重大・工

• 家近 泰

  住友化学(株)

• 前田 尚良

  住友化学(株)

• 前田 尚良

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

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著作論文

• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• FACELO(ファセット制御・選択横方向成長)GaN結晶の評価 : エピタキシャル成長II
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)

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