福井 一俊 | 福井大fir
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概要
関連著者
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福井 一俊
福井大fir
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福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
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元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
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只友 一行
三菱電線工業
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濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
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濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大 工
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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渡辺 博信
三重大学工学部
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太田 慶一
三重大学工学部
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福井 一俊
分子研
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平山 秀樹
理研
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柴田 泰宏
三重大学工学部
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石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
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安川 浩範
三重大学工学部
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木田 喜啓
三重大学工学部
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福井 一俊
福井大・工
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青柳 克信
理研
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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村田 隆紀
京都教育大
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田中 悟
北大電子科学部
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直江 俊一
金沢大工
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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塩谷 英一
(株)ニコン精機カンパニー
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松川 徳雄
鳴教大自然系
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新坂 俊輔
(株)ニコン精機カンパニー
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村田 隆紀
京都教育大学物理学教室
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直江 俊一
金沢大教養
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渡邉 博信
三重大学工学部
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田中 悟
北大電子科学研
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三浦 宏司
福井大工
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松川 徳雄
阪大教養
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山本 嵩勇
福井大工
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岡田 国也
福井大工
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浜浦 聡志
福井大工
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平松 和政
三重大学
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田中 真文
神戸大学大学院人間発達環境科学研究科
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中川 和道
神戸大
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郭 其新
佐賀大理工
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蛯名 邦禎
神戸大発達
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福井 一俊
福井大工
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古結 俊行
神戸大総合人間
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田中 真人
神戸大総合人間
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蛯名 邦禎
神戸大総合人間
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中川 和道
神戸大総合人間
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田中 真人
神戸大学大学院人間発達学研究科
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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古結 俊行
神戸大学総合人間科学研究科
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三宅 秀人
三重大工
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岡田 昌
佐賀大理工
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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木原 隆義
福井大工
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平井 亮介
福井大工
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平松 和政
三重大工
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柴田 智彦
日本ガイシ
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中川 和道
神戸大学
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三宅 秀人
三重大
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元垣内 敦司
三重大・工
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松川 徳雄
鳴門教育大学学校教育学部
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福井 一俊
福井大 工
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石賀 章
三重大・工
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安川 浩範
三重大
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木田 喜啓
三重大
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木村 浩司
福井大工
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柴田 智彦
三重大工
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柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
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渡邊 博信
三重大学工学部
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福井 一俊
金沢大分子研
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平松 和政
三重大
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松川 徳雄
鳴門教育大学
著作論文
- 24aZC-5 アミノ酸蒸着膜のVUV吸収スペクトル測定
- 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
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- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
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- 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- 31p-TB-2 GaP,GaAs,GaSbのGa-L吸収端構造
- 5a-A-9 Ge L-edgeスペクトル II
- 6p-C3-3 Ge L-edgeスペクトル