大内 洋一郎 | 三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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概要
関連著者
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大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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只友 一行
三菱電線工業
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只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
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福井 一俊
福井大fir
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
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濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
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濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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平松 和政
三重大 工
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太田 慶一
三重大学工学部
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柴田 泰宏
三重大学工学部
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石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
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安川 浩範
三重大学工学部
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木田 喜啓
三重大学工学部
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常川 高志
三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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渡辺 博信
三重大学工学部
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岡川 広明
三菱電線工業株式会社
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塩谷 英一
(株)ニコン精機カンパニー
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新坂 俊輔
(株)ニコン精機カンパニー
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岡川 広明
三菱電線工業(株)
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平松 和政
三重大学
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大
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元垣内 敦司
三重大・工
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伊藤 弘孝
三菱電線工業(株)中央研究所基礎技術研究部
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福井 一俊
福井大 工
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宮下 啓二
三菱電線工業
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石賀 章
三重大・工
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安川 浩範
三重大
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木田 喜啓
三重大
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城市 隆秀
三菱電線工業(株)
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平松 和政
三重大
著作論文
- AlN基板を用いた紫外LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlN基板を用いた紫外LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN系半導体の高品質化技術 (〔日本電子材料技術協会〕第37回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- LEPS法を用いた高出力紫外LEDの開発
- GaN系半導体の高品質化技術
- GaN系半導体の結晶成長
- 28a-ZS-9 GaNの選択成長における成長雰囲気の影響
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- AlGaN系紫外線受光素子の開発(2)真空紫外領域における受光感度特性評価