AlN基板を用いた紫外LED(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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サファイア基板上にAlN層を直接成長したAlNテンプレートおよびサファイア基板を用い、紫外LEDを作製した。AlNテンプレート上に作製したLEDウエハーは、(10-12)面反射のX線ロッキングカーブ半値幅は177secと狭く、CL測定で観測されるダークスポットが2.0×10^8cm^<-2>と、サファイア基板上に作製したものと比べ結晶性の良いウエハーであることがわかった。LEDチップの電流-電圧特性においてリーク電流が低減できている事も結晶性を反映していると考えられる。発光出力は両者とも同等あり、ベアチップ状態で382nm、4mW(at 20mA)が得られた。
- 2002-06-08
著者
-
岡川 広明
三菱電線工業株式会社
-
只友 一行
三菱電線工業
-
大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
岡川 広明
三菱電線工業(株)
-
常川 高志
三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所
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