The Influence of the Synthetic Conditions of Chemical Vapor Synthesis on the Size of Gallium Nitride Nanoparticles
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概要
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During the synthetic process by chemical vapor synthesis, the influence of temperature and gas flow rate on the size of gallium nitride (GaN) nanoparticles was studied. The mean size of the narrow-dispersed GaN nanoparticles increased as the temperature rose to within a range between 800 and 1100°C. At 700°C, however, GaN nanoparticles were not produced. A faster gas flow resulted in a reduction in the particle size at the ammonia/trimethylgallium ratio of 2400 but not obvious at 1200. These findings can be explained as “coagulation and sintering control regime” and partially as nucleation frequency of GaN nanoparticles.
- 社団法人 化学工学会の論文
- 2005-07-01
著者
-
OKUYAMA KIKUO
Department of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Hiroshima University
-
SHIMADA Manabu
Department of Chemical Engineering, Hiroshima University
-
島田 学
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座
-
Shimada Manabu
Department Of Chemical Engineering Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
奥山 喜久夫
広島大学大学院 工学研究院
-
Okuyama Kikuo
Department Of Chemical Engineering Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
AZUMA Yasushi
Hiroshima Joint Research Center for Nanotechnology Particle Project, Japan Chemical Innovation Insti
-
Azuma Yasushi
Hiroshima Joint Research Center For Nanotechnology Particle Project Japan Chemical Innovation Instit
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