プレオキサイドを介した水素終端Si(111)面の初期酸化過程
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概要
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XPSを用いて測定した水素終端したSi(111)面上に低温熱酸化膜を介して高温で熱酸化膜を形成した場合の熱酸化膜の形成過程の検討と、自然酸化膜を介して高温で熱酸化膜を形成した場合との比較検討を行なった。低温熱酸化膜を介した場合、サブオキサイド総量の変化から急峻なSiO_2, Si界面が形成されることがわかった。また酸化の進行に伴う各種サブオキサイド量の変化から,酸化膜が層状に成長すると推論した。自然酸化膜を介した場合にも酸化膜が層状に成長することを示唆する結果が得られたが、Si^4+>スペクトルの膜厚依存性およびSi^1+>、Si^3+>の周期的変化の現われる膜厚に差がある事が分かった。この違いは、プレオキサイドの構造の違いによるものと考えられるが、この点はさらに詳細な検討が必要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21
著者
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
関川 宏昭
武蔵工業大学
-
大石 和明
武蔵工業大学
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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