シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

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概要

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SPring-8の高輝度放射光を用いることにより、3種類の方法で生成した原子状酸素により形成した膜厚約1nmのシリコン酸化膜の化学結合状態と膜厚の均一性の酸化プロセス依存性の検出に初めて成功した。原子状酸素を用いて形成した3種類のSi0_2/Si(100)界面構造の内、膜厚の均一性は酸化プロセスに大きく依存すること、最も高い膜厚の均一性はクリプトン希釈酸素プラズマにより生成された原子状酸素により得られること、一方界面組成遷移層の急峻性は酸化プロセスに余り依存しないこと、しかし波長172nmの光照射により生成した原子状酸素により形成したSiO_2/Si(100)界面は、{111}ファセットで覆われるという結果が得られた。
2003-10-13

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