[特別講演]高輝度放射光を利用した光電子分光法による半導体の電子構造評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

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概要

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• 実験室系の光電子分光装置に比べて放射光を励起光源として用いるメリットは、波長(エネルギー)を変えられるという点にある。第3世代高輝度放射光源であるSPring-8を利用すれば2keV以下の軟X線領域だけでなく、6keVの硬X線領域でも高分解能・高スループットで光電子分光による電子構造評価が可能であることが最近確かめられた。励起エネルギーの増加に伴い光電子の脱出深さは増大し、6keVでは10nmを超えるプローブ深さが実現する。ここではゲート絶縁膜解析への応用を例に、SPring-8の高輝度・高エネルギー特性を生かした光電子分光法によるナノ薄膜・ナノ多層膜解析の有用性を紹介する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-06-20

著者

• 高田 恭孝

  理化学研究所量子秩序研究チーム

• 高田 恭孝

  理化学研究所放射光物性研究室-spring-8

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