シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性

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概要

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• 2003-10-20

著者

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 高田 恭孝

  理化学研究所量子秩序研究チーム

• 小林 啓介

  高輝度光科学研究センター

• 高田 恭孝

  東大新領域:理研:spring8

• 高田 恭孝

  理化学研究所放射光物性研究室-spring-8

• 中田 行彦

  株式会社液晶先端技術開発センター

• 高橋 健介

  武蔵工大工

• 高橋 健介

  武蔵工業大学工学部

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• セマン ムスタファ

  武蔵工業大学工学部

• セマン ムスタファ

  武蔵工業大学 工学部

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 辛 埴

  理化学研究所・播磨研究所

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 吉田 徹史

  武蔵工業大学工学部

• 塩路 昌利

  武蔵工業大学工学部

• 東 和文

  (株)液晶先端技術開発センター

• 中田 行彦

  (株)液晶先端技術開発センター

• 白石 貴義

  武蔵工業大学工学部

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  武蔵工業大学

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