シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
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概要
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- 2003-10-20
著者
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
高田 恭孝
理化学研究所量子秩序研究チーム
-
小林 啓介
高輝度光科学研究センター
-
高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
-
高田 恭孝
理化学研究所放射光物性研究室-spring-8
-
中田 行彦
株式会社液晶先端技術開発センター
-
高橋 健介
武蔵工大工
-
高橋 健介
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
セマン ムスタファ
武蔵工業大学工学部
-
セマン ムスタファ
武蔵工業大学 工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
辛 埴
理化学研究所・播磨研究所
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
-
塩路 昌利
武蔵工業大学工学部
-
東 和文
(株)液晶先端技術開発センター
-
中田 行彦
(株)液晶先端技術開発センター
-
白石 貴義
武蔵工業大学工学部
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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