XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-06-27
著者
-
上野 和良
芝浦工大
-
廣瀬 和之
宇宙研
-
小林 大輔
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
五十嵐 智
東京都市大
-
石原 由梨
芝浦工大
-
渋谷 寧浩
東京都市大
-
小林 大輔
宇宙研
-
野平 博司
東京都市大
関連論文
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコン技術
- 超臨界流体中アニールによるめっき銅膜の改質
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 23aWJ-4 X線吸収端近傍微細構造を用いたPr_A_xMnO_(A=Ca,Sr)におけるMnの電子状態解析(23aWJ Mn酸化物1,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 6p-H-4 Al仕事関数の大気中における連続的変化
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 特集 宇宙・民生デュアルユースのLSI 宇宙・民生デュアルユースの半導体集積回路の開発--SOIデバイスの放射線耐性強化技術
- 30p-TA-13 Photoemission Yield Spectroscopy法により求めたGaAs(001)面の表面準位
- 4a-C-19 GaAs(001)における光電的仕事関数の表面超構造依存性II
- X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
- 宇宙用半導体部品とその耐放射線化技術
- AT-1-2 宇宙環境におけるソフトエラーと放射線強化技術(AT-1.集積回路におけるソフトエラー-測定法,回路技術,EDA-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C2 月小型実験機SLIMの画像航法(月探査(1))
- 半導体A(シリコン)
- 半導体A : シリコン
- ナノ銅配線低抵抗化のための新結晶粒制御法
- Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
- Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
- 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
- Electric characteristics of Si_3N_4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces
- XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- high-k 膜のXPSによる評価
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 13aXC-10 硬 X 線光電子分光の高分解能化・高効率化(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5)
- Depth Profile of Various Bonding Configration of Nitrogen Atoms in Silicon Oxynitrides formed by Plasma Nitridation
- Damage-Free Microwave-Excited Plasma Contact Hole Etching without Carrier Deactivation at the Interface between Silicide and Heavily-Doped Si
- Atomic-Scale Depth Profiling of Oxides/Si(111) and Oxynitrides/Si(100) Interface
- Influence of Interface Structure on Oxidation Rate of Silicon : Surfaces, Interfaces, and Films
- ULSIゲート絶縁膜の高輝度軟X線・硬X線光電子分光 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- 23pZN-4 極薄Si酸化膜の表面と界面の構造 : 膜成長にともなう構造変化
- Effect of Preoxide on the Structure of Thernmal Oxide
- プレオキサイドを介した水素終端Si(111)面の初期酸化過程
- Initial Stage of SiO_2/Si Interface Formation on Si(111) Surface
- 半導体デバイスにおける多層配線技術の進展と今後の展開
- 21701 集積回路配線技術の動向と展望(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 半導体集積回路の配線に用いる銅めっき膜の不純物
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPS及びHAX-PESによるSiO_2/SiC界面の化学結合状態評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価