30p-TA-13 Photoemission Yield Spectroscopy法により求めたGaAs(001)面の表面準位
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概要
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- 1990-03-16
著者
-
内山 明彦
早大理工学部電気通信学科
-
宇田 応之
早大理工
-
廣瀬 和之
宇宙研
-
廣瀬 和之
宇宙科学研
-
内山 明彦
早稲田大学大学院 理工学研究科
-
廣瀬 和之
日電基礎研
-
野口 隆男
早大理工
-
内山 明彦
早大理工
-
宇田 応之
早稲田大学理工学部材料工学科
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