2p-R-5 イオン励起AESの化学結合効果(II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1985-09-13
著者
関連論文
- 29p-ZG-11 加速されたコンボイ電子エネルギー分布のターゲット依存性
- PIXE法で得られるアルカリ金属フッ化物FKαK^1L^1サテライトスペクトルの強度解析
- 多重電離状態での蛍光収率に現れる化学結合効果
- 27p-Q-4 HF、SF_6におけるFKαサテライトスペクトルの化学結合効果
- 27a-P-9 FKαサテライトスペクトルの化学結合効果
- 2P-N-13 F Kαサテライトスペクトルの化学結合効果II
- 2P-N-12 F Kαサテライトスペクトルの化学結合効果I
- 30a-S-9 FKαサテライトスペクトルの化学結合効果の機構II
- 30a-S-8 FKαサテライトスペクトルの化学結合効果の機構I
- 3a-ZG-5 FKαサテライトスペクトルにおける化学結合効果の機構
- 5a-E3-8 FKαサテライトスペクトルの強度解析
- 31p-WC-4 交差鎖から成るポリマー擬似単原子層のSTMによる観察
- 11a-T-7 多重電離サテライトを含まない酸素のKαスペクトル
- 6p-H-4 Al仕事関数の大気中における連続的変化
- 6p-H-3 Ag多結晶薄膜の光電的仕事関数
- 6a-YP-6 Ne-Ne衝突中に形成される分子軌道計算
- 31p-YK-10 ROR過程によるF KVVオージェサテライトの強度変化
- PIXE-induced XRFスペクトルに現れるBackground
- 4a-K-6 SCAで求めたK^1L^n多重電離断面積
- 4p-X-12 X線励起によって得られたフッ化物のF Kα多重電離サテライトスペクトル強度解析
- 4a-K-6 SCAで求めたK^1L^n多重電離断面積
- 30p-TA-13 Photoemission Yield Spectroscopy法により求めたGaAs(001)面の表面準位
- 4a-C-19 GaAs(001)における光電的仕事関数の表面超構造依存性II
- 27a-YA-9 AlとSiのKLVオージェ電子スペクトルの解析
- 28a-W-14 DV・Xα分子軌道法計算法を用いた硫黄化合物の価電子帯XPSスペクトルの解析
- 31a-B-4 第三周期元素のK^1L^1多重電離Kβサテライトスペクトルの解析
- 24a-L-8 低温照射した不規則化Cu_3Auの熱的回復
- 11p-U-6 照射されたCu_3Auのstage I の回復
- 8a-Y-4 CuおよびCu_3Auの照射損傷率
- 荷電粒子励起X線分光法(PIXE)による元素分析(第1報) : 尿路結石について : 第74回日本泌尿器科学会総会
- 31a-X-5 斜入射高速重イオンによるコンボイ電子の励起III
- 4p-L-7 Ar^照射によるAl-LVV Auger電子スペクトルの入射角度依存性
- 4p-L-3 すれすれ入射重イオンによる金属表面からのコンボイ電子の励起 II
- 3p-X-6 すれすれ入射重イオンによる金属表面からのコンボイ電子励起
- 3p-X-5 重イオン照射下におけるAl LVVオージェ電子の入射角度依存性
- 27p-Z-7 重イオンすれすれ入射によるAl-LVV Auger電子のエネルギー・スペクトル
- 27p-Z-4 金属ターゲット中におけるAr^イオンによる電子励起の多価電荷効果
- 30a-S-4 重イオン照射による金属表面からの放出二次電子(III)
- 30a-S-3 後方散乱したLoss-Electron PeakのZ_2 : 依存症
- 5p-Z-14 YBa_2Cu_3(Fe)O_の配向
- 30a-H-5 Si(111)√3×√3-Au表面のSTMによる観察
- 27a-YA-10 F Kα K^1L^1多重電離サテライトスペクトルの強度計算
- 4a-K-5 DV-Xα分子軌道法を用いたオージェ電子スペクトルの解析
- 4a-L-11 低加速イオンで発光するX線の化合物効果
- 1a GS-2 フッ化物KαX線スペクトル強度の化学結合強化 II : (X線, 電子線励起)
- 1a GS-1 フッ化物KαX線スペクトル強度の化学結合効果 I : (イオン励起)
- 高速重イオン励起Al-LVV Auger電子スペクトルの温度依存性II
- 高速重イオン励起Al-LVV Auger電子スペクトルの温度依存性I
- 3a-SA-2 多重励起状態にある化合物から発光するX線の強度解析 II
- 3a-SA-1 多重励起状態にある化合物から発光するX線の強度解析 I
- 28a-H-13 AL中にイオン注入されたSnの格子位置
- 5p-M-12 TiO_の格子欠陥
- 27pZE-7 電子衝撃によるa-Siからの反跳H-原子シミュレーション計算V
- 25pYJ-10 電子衝撃によるa-Siからの反跳H-原子シミュレーション計算IV
- 25pF-11 電子衝撃によるa-Siからの反跳H-原子 : シミュレーション計算III
- 28p-XK-10 電子衝突によるa-Siからの反跳H : 原子シミュレーション計算II
- 28p-XK-9 電子衝突によるa-Siからの反跳H : 原子シミュレーション計算 I
- 26a-J-7 窒素-希ガス混合気体中における2重円筒型オープンカウンターによる電子計数
- 30p-K-2 酸素に曝した Al,Cu,Au 表面からの二次電子放出
- 2p-R-5 イオン励起AESの化学結合効果(II)
- 15a-DH-9 Si(111)6×6-Au表面のSTMによる観察
- 4p-L-2 イオン励起LX線の化学結合効果
- 26a-J-8 オープンカウンターによる大気中でのαβγ放射線の測定
- 腎細胞癌中の微量元素とその腫瘍マーカーについての検討
- 6a-D-5 XPSによるZn金属エネルギー帯の微細構造
- 3a-SA-8 多重電離 OKα線の化学結合効果
- 5p-NW-3 多重電離X線スペクトルの化学結合効果
- 5p-NW-2 Heイオン励起による酸素Kのスペクトルの化学効果
- 4p-L-1 FKdのRAEサテライト
- 6p-T-7 重イオン励起特性X線の化学結合効果
- 14a-DL-3 MF_2(M=Fe, Co, Ni, Zn)におけるFKαサテライトスペクトル強度減少機構
- The 6th International Conference on Particle Induced X-ray Emission and Its Analytical Applications に参加して
- 超高真空電子分光装置の製作
- 4p-P-1 イオン励起AESの化学結合効果(I)
- 2p-RL-6 高速イオン励起電子分光装置の製作
- 連続形二次電子増倍装置用酸化物蒸着膜ダイノ-ドの諸特性
- 29p-LG-1 プロトンあるいはアルファ粒子照射されたCu_3Auの低温での回復(格子欠陥)
- 3a-T-3 AlとSiのKLVオージェ電子スペクトルの解析-2-(3aT 原子・分子,原子・分子)
- 30p-R-6 FKαサテライト線の放出確率の計算(30pR 原子・分子)
- 28a-G-7 GaAs(001)における光電的仕事関数の表面超構造依存性(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
- 3a-T-2 フッ化物のF Kα K^1L^1多重電離サテライトスペクトルの強度計算(3aT 原子・分子,原子・分子)
- 3p-YJ-13 酸化物高温超伝導物質から放出されるCuL線スペクトルの解析(3pYJ 低温(高温超伝導・スペクトロスコピー),低温)