27pZE-7 電子衝撃によるa-Siからの反跳H-原子シミュレーション計算V
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-03-09
著者
関連論文
- 29p-ZG-11 加速されたコンボイ電子エネルギー分布のターゲット依存性
- 28p-BPS-9 四角格子量子XXZ模型の計算機実験
- 31a-PS-51 四角格子異方的ハイゼンベルグ模型の計算機実験
- 24a-L-8 低温照射した不規則化Cu_3Auの熱的回復
- 11p-U-6 照射されたCu_3Auのstage I の回復
- 8a-Y-4 CuおよびCu_3Auの照射損傷率
- 31a-X-5 斜入射高速重イオンによるコンボイ電子の励起III
- 4p-L-7 Ar^照射によるAl-LVV Auger電子スペクトルの入射角度依存性
- 4p-L-3 すれすれ入射重イオンによる金属表面からのコンボイ電子の励起 II
- 3p-X-6 すれすれ入射重イオンによる金属表面からのコンボイ電子励起
- 3p-X-5 重イオン照射下におけるAl LVVオージェ電子の入射角度依存性
- 27p-Z-7 重イオンすれすれ入射によるAl-LVV Auger電子のエネルギー・スペクトル
- 27p-Z-4 金属ターゲット中におけるAr^イオンによる電子励起の多価電荷効果
- 30a-S-4 重イオン照射による金属表面からの放出二次電子(III)
- 30a-S-3 後方散乱したLoss-Electron PeakのZ_2 : 依存症
- 高速重イオン励起Al-LVV Auger電子スペクトルの温度依存性II
- 高速重イオン励起Al-LVV Auger電子スペクトルの温度依存性I
- 28a-H-13 AL中にイオン注入されたSnの格子位置
- 5p-M-12 TiO_の格子欠陥
- 27pZE-7 電子衝撃によるa-Siからの反跳H-原子シミュレーション計算V
- 25pYJ-10 電子衝撃によるa-Siからの反跳H-原子シミュレーション計算IV
- 25pF-11 電子衝撃によるa-Siからの反跳H-原子 : シミュレーション計算III
- 28p-XK-10 電子衝突によるa-Siからの反跳H : 原子シミュレーション計算II
- 28p-XK-9 電子衝突によるa-Siからの反跳H : 原子シミュレーション計算 I
- 26a-J-7 窒素-希ガス混合気体中における2重円筒型オープンカウンターによる電子計数
- 30p-K-2 酸素に曝した Al,Cu,Au 表面からの二次電子放出
- 2p-R-5 イオン励起AESの化学結合効果(II)
- 3a-SA-8 多重電離 OKα線の化学結合効果
- 5p-NW-3 多重電離X線スペクトルの化学結合効果
- 超高真空電子分光装置の製作
- 4p-P-1 イオン励起AESの化学結合効果(I)
- 2p-RL-6 高速イオン励起電子分光装置の製作
- 連続形二次電子増倍装置用酸化物蒸着膜ダイノ-ドの諸特性
- Crystalline Graphics
- 29p-LG-1 プロトンあるいはアルファ粒子照射されたCu_3Auの低温での回復(格子欠陥)
- 30p-TB-1 正方格子反強磁性ハイゼンベルグ模型の計算機実験(30p TB 統計力学・物性基礎論)