廣瀬 和之 | 日電基礎研
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概要
関連著者
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宇田 応之
早大理工
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廣瀬 和之
日電基礎研
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野口 隆男
早大理工
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廣瀬 和之
宇宙研
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廣瀬 和之
宇宙科学研
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Foxman E.
日電基礎研
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宇田 応之
早稲田大学理工学部材料工学科
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内山 明彦
早大理工学部電気通信学科
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内山 明彦
早稲田大学大学院 理工学研究科
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内山 明彦
早大理工
著作論文
- 30p-TA-13 Photoemission Yield Spectroscopy法により求めたGaAs(001)面の表面準位
- 4a-C-19 GaAs(001)における光電的仕事関数の表面超構造依存性II
- 28a-G-7 GaAs(001)における光電的仕事関数の表面超構造依存性(28aG 半導体(表面・界面・超格子))