岡本 英介 | 武蔵工業大学工学部
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概要
関連著者
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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品川 盛治
武蔵工業大学工学部
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岡本 英介
武蔵工業大学工学部
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吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
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品川 盛治
武蔵工業大学
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学
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加勢 正隆
富士通株式会社
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堀 充明
富士通
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堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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加瀬 正隆
富士通
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生田 哲也
富士通株式会社lsi事業本部
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高田 恭孝
理化学研究所量子秩序研究チーム
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小林 啓介
高輝度光科学研究センター
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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高田 恭孝
理化学研究所放射光物性研究室-spring-8
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池永 英司
高輝度光科学研究センター
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辛 埴
理化学研究所・播磨研究所
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加瀬 正隆
富士通株式会社LSI事業本部
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東 和文
(株)液晶先端技術開発センター
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東 和文
液晶先端技術開発センター
著作論文
- 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)