品川 盛治 | 武蔵工業大学
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概要
関連著者
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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品川 盛治
武蔵工業大学
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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池永 英司
高輝度光科学研究センター
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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服部 健雄
武蔵工業大学
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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品川 誠治
武蔵工業大学工学部
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樋口 正顕
株式会社東芝
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池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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樋口 正顕
東北大学工学研究科
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品川 盛治
武蔵工業大学工学部
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岡本 英介
武蔵工業大学工学部
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吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
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池永 英司
Jasri/spring-8
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小林 啓介
物材機構
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小林 啓介
高輝度光科学研究センター
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加勢 正隆
富士通株式会社
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堀 充明
富士通
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堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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加瀬 正隆
富士通
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生田 哲也
富士通株式会社lsi事業本部
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池永 英司
JASRI SPring-8
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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高田 恭孝
理化学研究所量子秩序研究チーム
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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高田 恭孝
理化学研究所放射光物性研究室-spring-8
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小村 政則
東北大学工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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辛 埴
理化学研究所・播磨研究所
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荒谷 崇
信越化学工業株式会社
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荒谷 崇
東北大学大学院工学研究科
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
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服部 武雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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Kobayashi Keisuke
JASRI SPring8
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小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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加瀬 正隆
富士通株式会社LSI事業本部
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東 和文
(株)液晶先端技術開発センター
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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東 和文
液晶先端技術開発センター
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須川 成利
JASRI SPring8
著作論文
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)