Fabrication and Characterization of GaAs Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots Based on Schottky In-Plane-Gate and Wrap-Gate Control of Two-Dimensional Electron Gas
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概要
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Single-dot and multiple (2, 3, 18, and 37)-dot single electron transistors (SETs) based on the control of a two-dimensional electron gas (2DEG) with a recently proposed Schottky in-plane gate (IPG) and a newly introduced Schottky wrap gate (WPG) were successfully fabricated on AlGaAs/GaAs wafers using electron beam (EB) lithography and their transport properties were investigated. Each of the fabricated SETs showed Coulomb blockade-like conductance oscillation. In single-dot SETs, a strong correlation was found between the devicedimensions and the temperature limit of conductance oscillation. Conductance oscillation characteristics of multiple-dot SETs were complicated, and were notexplained by the classical Coulomb blockade theory. Based on a simplified theoretical analysis using computer simulation, it was shown that quantized energydue to electron confinement and dot-coupling can dominate the charging effect in the fabricated SETs.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-03-30
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
TOMOZAWA Hidemasa
Eniwa Research and Development Center, Kyoto Semiconductor Corporation
-
Tomozawa Hidemasa
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Tomozawa Hidemasa
Eniwa Research And Development Center Kyoto Semiconductor Corporation
-
JINUSHI Kei-ichiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information
-
Jinushi Kei-ichiroh
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
-
Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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Jinushi Kei-ichiroh
Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of
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