Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
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概要
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- The Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2008-02-25
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
HASHIZUME Tamotsu
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
KASAI Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
-
TAMURA Takahiro
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te
-
KOTANI Junji
Research Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Information Science and Te
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
-
Kotani Junji
Eindhoven Univ. Technol. Eindhoven Nld
-
Kotani Junji
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
-
Tamura Takahiro
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Kasai Seiya
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Sapporo 060-8628, Japan
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