Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAs MISFETの製作とその電気的特性の評価
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概要
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ふっ酸処理を施したInGaAs表面に,MBE Si超薄膜界面制御層(SiICL)を形成した後,光CVDSiO_2膜を堆積することにより,リセス構造を有する空乏形InGaAs MISFETを作製した.作製後,350℃の水素雰囲気中で1時間熱処理を施すことにより,MISFETの相互コンダクタンスが大幅に増大し,ドレーン電流の極めて安定した動作が得られた.熱処理後の最大実効移動度は,3850cm^2/V・s,相互コンダクタンスは,ゲート長6μmのデバイスで,61mS/mmであった.また,ゲート長と相互コンダクタンスの関係から,速度飽和を考慮しても,ゲート長1μmで250mS/mmが期待できることが判明した.更に,ゲートステップ電圧印加後のドレーン電流ドリフトは,10^4秒後で5%以下に抑制された.以上の結果は,超高真空一貫プロセスにより作製した光CVDSiO_2/SiICL/InGaAs MISFETの特性に匹敵するものであり,大気中にさらしたInGaAs表面をふっ酸処理する方法が,デバイスプロセス上,極めて有効であることを示している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-25
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学
-
謝 永桂
北海道大学集積界面エレクトロニクス研究センター
-
鈴木 敏
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
-
澤田 孝幸
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
-
鈴木 敏
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学部電子情報工学専攻
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