ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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ヘキサゴナル二分決定グラフ(BDD)論理アーキテクチャの大規模集積回路への応用を考え、分子線エピタキシー(MBE)法により形成された選択成長(SG)埋め込み量子細線(QWR)を用いて量子BDD節点デバイスを実現する手法を提案し、デバイスの試作・評価を行った。MBE選択成長により形成したGaAs系量子細線デバイスにプロセスを施すことにより、ショットキーラップゲート(WPG)で細線内のポテンシャル制御を行うSG QWR枝スイッチの作製に成功した。SG QWR枝スイッチのゲート制御特性をシュブニコフ・ド・ハース(SdH)振動測定を用いて評価し、その動作がエッチング細線型QWR枝スイッチと類似することを明らかにした。作製したSG QWR枝スイッチは、低温において明瞭な量子化コンダクタンスを実現し、コンダクタンスステップ傾きの温度依存性を調べた。2個のSG QWR枝スイッチを有するY字型のBDD節点デバイスを試作し、明確なパススイッチング動作を実現した。
- 2004-01-23
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
長谷川 英機
北海道大学
-
湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
-
湯元 美樹
東芝研究開発センター
-
田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
-
田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
佐藤 威友
量子集積エレクトロニクス研究センター
-
湯元 美樹
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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