MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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原子状水素を利用したMBE選択成長によりInP(OOl)およびInP(111)B基板上に、ノード密度にして10^9個/cm^2を超えるヘキサゴナルInGaAs量子細線ネットワーク構造を形成した。詳細な構造観察から各InP基板における構造の特徴、ウエットエッチング特性、原子状水素の効果、MBE選択成長によるリッジ構造の形成機構を明らかにした。InP(001)基板においては、<-110>方向および<510>方向の成長速度の違いを考慮した細線設計を行い、実効細線幅にして8nmの細線ネットワーク構造の作製に成功した。一方、InP(111)B基板上においては、三回対称性を有するInAlAsリッジ構造の形成により、良好なヘキサゴナルパターン作製技術の可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-22
著者
-
木村 健
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
長谷川 英機
北海道大学
-
村中 司
北海道大学工学研究科
-
福士 哲夫
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
-
木村 健
北海道大学工学研究科
-
福士 哲夫
北海道大学工学研究科
-
木村 健
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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