深さ分解CL法によるGaN結晶中のYellow Luminescenceの評価
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概要
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本報告では、GaN結晶中のイ***ールミネセンスについて注目し、本研究で提案する深さ分解CL法(CLIS法)による評価と1次元解析プログラムによる計算機シミュレーションを用い、その発光の起源となる深い準位について考察した。その結果、GaNバルク中に一様に分布する深いアクセプタ準位が、イ***ールミネセンスの発光起源として強く示唆された。また、GaN表面における表面再結合が電子線照射時の発生・再結合過程に大きな影響を与えており、GaNバンド端発光、イ***ールミネセンスともに大きな影響を受けることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-04
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター及び大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
長谷川 英機
北海道大学
-
石川 史太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター及び大学院工学研究科電子情報工学専攻
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