ED2000-51 / SDM2000-51 化合物半導体量子デバイスの展望と課題
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概要
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III-V族化合物半導体量子デバイスの今後の展望と課題について、量子界面エレクトロニクス研究センターの最近の成果を交えながら議論する。制御性の高いエピタキシャル成長技術、優れたヘテロ界面、幅広い材料の選択肢、優れた電子輸送特性、量子効果が顕著に現れることなど、III-V族化合物半導体量子デバイスには多くの特徴があり、物理的な側面のみならず工学的にも注目される。ここでは、量子ナノ構造形成、量子デバイス、材料やプロセス技術、および量子デバイスを用いた回路やシステムアーキテクチャについて述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-21
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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