(111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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あらまし本研究では、二分決定グラフ量子回路への応用を目指し、GaAs(111)B加工基板上へのMBE選択成長法により、(111)面のもつ三回対称性を利用した、GaAsヘキサゴナル量子細線ネツトワークの形成と評価を行った。まず、<112>方向細線の作製を行い、細線幅の制御性に関して調査をおこなった。GaAs細線はメサ頂上部(111)B面上に均一かつ選択的に形成され、そのサイズは成長条件により制御可能である。次に、MBE選択成長法によりヘキサゴナルネットワーク構造の作製を試みた。詳細な構造評価および光学特性の評価から、成長条件の最適化により、MBE選択成長法を用いて、広範囲で均一なヘキサゴナル細線が形成可能であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-22
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
長谷川 英機
北海道大学
-
玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
-
玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
-
吉田 崇一
北海道大学工学部
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