玉井 功 | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
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玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
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吉田 崇一
北海道大学工学部
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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湯元 美樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび工学研究科電子情報工学専攻
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田村 隆博
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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湯元 美樹
東芝研究開発センター
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田村 隆弘
北海道大学大学院工学研究科
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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田村 隆博
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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湯元 美樹
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター 工学研究科 電子情報工学専攻
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葛西 誠也
北海道大学
著作論文
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- (111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
- (111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法によるヘキサゴナルGaAs細線ネットワークの作製と評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
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