InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用

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概要

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分子線エピタキシ(MBE)選択成長法を用いてInP加工基板上へ形成したInGaAsリッジ量子細線六角形ネットワーク構造のデバイス応用について議論する。<-110>方向量子細線と<100>-および<510>-方向の量子細線を組み合わせたInGaAs六角形量子細線ネットワーク構造の作製を行った。低温原子状水素プロセスを用いたMBE選択成長により、節点密度にして10^8個/cm^2以上のInGaAs量子細線六角形ネットワーク構造が作製可能であることを示した。また、詳細なAFM、CLによる評価から、<-110>方向量子細線と<100>方向、<510>方向量子細線はスムーズな結合でY分岐を形成していることが明らかとなった。また、量子細線の伝導特性評価するために、<-110>量子細線を用いたショットキー・ラップゲート(WPG)型FETを作製して磁気抵抗測定を行い、構造およびWPGによる細線幅の制御について検討を加えた。
2002-01-22

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