AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ構造上に形成したショットキー接合の電流-電圧(I-V)特性の詳細な評価を行った結果、トンネル輸送成分が漏れ電流に大きく寄与していることが分かった。これを制御するプロセスとして、超高真空中におけるAl超薄膜形成とアニールを提案し、このプロセスを行った表面に形成したショットキー接合では、漏れ電流へのトンネル輸送成分の寄与が減少することを示した。XPSの分析結果より、漏れ電流低減の理由として、表面欠陥の回復あるいは酸素ドナーのゲッタリングの可能性が考えられる。
- 2005-05-20
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
金子 昌充
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
金子 昌充
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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