AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

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概要

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• GaNおよびAlGaNショットキー接合における漏れ電流の機構を考察している。これまでに提案されてきた漏れ電流機構のモデルを概観し、問題点を指摘した。表面近傍に局在する窒素空孔ドナー型欠陥準位の寄与を考慮した数値計算結果が、広いバイアス・温度条件で、GaNショットキー接合I-V特性の実測値を再現できることを示した。AlGaNショットキー接合では、窒素空孔表面欠陥に加えて酸素不純物の寄与が、漏れ電流に大きな影響を与えている可能性を議論する。

• 2005-01-11

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 金子 昌充

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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