野矢 厚 | 北見工業大学電気電子工学科
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概要
関連著者
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野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学
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武山 真弓
北見工業大学
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武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学工学部
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佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
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武山 真弓
北見工業大学工学部
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佐藤 勝
北見工業大学
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武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
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青柳 英二
東北大学金属材料研究所
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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糸井 貴臣
北見工業大学電気電子工学科:(現)千葉大学
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坂上 正和
北見工業大学電気電子工学科
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佐々木 克孝
北見工業大学
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佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
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早坂 祐一郎
東北大学金属材料研究所
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佐藤 和美
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)日立国際電気
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板井 順一
北見工業大学電気電子工学科
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
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村上 佳隆
北見工業大学工学部電気電子工学科 : (現)東光株式会社
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町田 英明
気相成長(株)
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Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
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Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
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坂西 光一郎
北見工業大学工学部 電気電子工学科
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柳田 賢善
北見工業大学電気電子工学科
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水野 源大
北見工業大学電気電子工学科
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阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
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福田 朝之
北見工業大学電気電子工学科
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坂西 光一郎
北見工業大学電気電子工学科:(現)日立製作所
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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土橋 剛
旭川高専
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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伊藤 俊
東北大学金属材料研究所
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柴田 誠一
北見工業大学工学部電気電子工学科
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大立目 晋
北見工業大学電気電子工学科
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山口 十六夫
静岡大学
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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MANIRUZZAMAN Md.
北見工業大学工学部電気電子工学科
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須藤 弘
気相成長(株)
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柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
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阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
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川村 みどり
北見工業大学工学部機能材料工学科
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山根 美佐雄
北見工業大学工学部機能材料工学科
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柳沢 英人
北見工業大学
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土橋 剛
旭川工業高等専門学校電気工学科
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梁田 修
北見工業大学電気電子工学科
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村上 学
北見工業大学電気電子工学科
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野矢 厚
北見工大
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中台 保夫
アルバックマテリアル(株)
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神原 正三
アルバックマテリアル(株)
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畠中 正信
(株)アルバック
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Kamijyo Masahiro
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Technology
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梁田 修
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)エスイーシー
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土橋 剛
旭川工業高等専門学校
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川村 みどり
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
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MISTRIK Jan
静岡大学電子工学研究所
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POSTAVA Kamil
静岡大学電子工学研究所
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ANTOS Roman
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大 電子工研
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梅沢 利二
札幌学院大学
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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若林 佳恵
北見工業大学工学部
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小杉 努
北見工業大学電気電子工学科
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五十嵐 準一
北見工業大学電気電子工学科
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坂口 信寿
北見工業大学電気電子工学科
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榊 秀善
北見工業大学工学部電気電子工学科
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厚地 呂比奈
北見工業大学工学部電気電子工学科
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佐瀬 瞳子
北見工業大学電気電子工学科
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市川 貴朗
北見工大
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武山 真弓
北見工大
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竹増 健
北見工大
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徳田 奨
北見工業大学
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若林 佳恵
北見工業大学工学部:(現)(株)フォーラムエンジニアリング
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五十嵐 準一
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)アルプス技研
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徳田 奨
北見工業大学電気電子工学科
-
徳田 奨
北見工業大学工学部技術部
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川村 みどり
北見工業大学マテリアル工学科
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葛西 誠也
北海道大学
著作論文
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Al-Ti合金薄膜表面酸化層の形成過程の検討
- Al-Y合金薄膜に形成される表面酸化層のキャラクタリゼーションと形成過程の検討
- C-6-18 TDEAV原料を用いたALD-VN_x膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
- 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
- ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討
- Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
- SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
- 格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
- ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
- Cu/SiO_2間の極薄VNバリヤの劣化メカニズム(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/VN/SiO_2/Si構造におけるナノクリスタルVNバリヤの有用性
- Cu/SiコンタクトにおけるZrNバリヤの構造がバリヤ特性に及ぼす影響
- 高信頼Cu配線のための微結晶ZrNバリヤの適用
- C-6-4 Cu/VN/Siコンタクトの熱的安定性とVNバリアの構造変化
- ラジカルを用いた低温で安価な窒化物膜の作製とコーティングへの応用 (特集 新素材・ナノテクのライセンス技術)
- ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討
- CS-5-4 Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄ナノバリヤの動向とその界面制御(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般)
- ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/VN/SiOC/Si系における極薄VNバリヤの特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/SiO_2間に介在させたV-N膜の界面反応と拡散挙動
- Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用
- SiO_2上のCu配線におけるNb介在層の適用
- Al-Si間におけるAl_3Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について
- 周期的Al/Hf積層膜を陽極酸化した薄膜キャパシタの損失特性
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般)
- Cu/Ta-W/SiコンタクトにおけるCu拡散に対する界面シリサイド層の役割
- n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
- CPM2000-85 Cu/SiO_2間におけるVN膜のバリヤ特性
- CPM2000-84 Cu/SiO_2間に介在させたTa-W合金薄膜のバリヤ特性
- CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
- CPM2000-70 Cu上の表面保護膜としてのAl-Mo合金膜の適用
- ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成
- ポリメタルゲート電極におけるW_2NおよびZrN薄膜のバリヤ特性
- Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト
- Cu/Siコンタクト系におけるTi-Zr-N拡散バリヤの適用
- Ta-W合金拡散バリヤを用いたAl(111)/Si(100)コンタクトの形成
- Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価
- Cu/Si系における極薄ZrN膜の拡散バリヤ効果
- Cu/W-nitride/Siコンタクト系におけるW-nitride薄膜のバリヤ特性
- Cu/SiコンタクトにおけるTa-W合金膜の拡散バリヤとしての評価
- Al/Nb/SiO_2/Si構造におけるAl(111)面の高配向成長と界面反応の評価
- Cuメタライゼーションにおける低温で作製されたZrN薄膜の拡散バリヤ効果
- 高配向成長させたCu(111)/W(110)/Si(100)コンタクト構造の熱的安定性
- W薄膜によるCu表面の酸化保護
- 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 (電子部品・材料)
- Ta_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱要因と薄膜化の検討
- C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価
- NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cu/metal/SiO/Si構造における界面での拡散・反応挙動(1)Va遷移金属の拡散挙動 (電子部品・材料)
- Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成 (電子部品・材料)
- C-6-1 Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi_2相の低温での共存形成(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)