高配向成長させたCu(111)/W(110)/Si(100)コンタクト構造の熱的安定性
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概要
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我々は, Wの結晶性をより良好なものとすることでCu/W/Siコンタクト系の熱的安定性をより向上させることができるものと考え, (110)面が高配向成長したWバリヤを用いて検討を行った. その結果, W上のCu膜も(111)面の高配向成長が確認され, 得られたコンタクト系は690℃で1時間の熱処理に耐えることができた. このことは, Wバリヤの構造がランダム配向の多結晶膜に比べて結晶粒界の少ない高配向成長した膜であることからCuの速い拡散を効果的に抑制し, 更にこれに加えてW/Si界面でのシリサイド形成反応を670℃まで上昇できたことによるものであると思われる. このことより, Cu/W/Si系はWバリヤの結晶性を良好にすることで, バリヤ自身がシリサイドとして消費され尽くすまで安定なコンタクトを保持できることが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-25
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
福田 朝之
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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