SiO2 上の Cu 配線に対する Zr 及び ZrN 拡散バリア特性の検討
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概要
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Cu-SiO_2間に中間介在層としてZr及びZrN膜を適用し、各界面に生起する拡散、反応について、XRD、AES、XPSにて評価した。Zrを介在させた系においては熱処理前からSiO_2の還元反応が生じ、さらにZrの反応性の高さに起因して400℃度の熱処理でCuとZrの化合物を形成し、450℃熱処理後ではシリサイド形成をも生じ系は完全に崩壊した。一方、ZrNを介在させた系では、Zr/SiO_2界面と比較して還元されるSiの量は少量となるが、800℃熱処理後においても積層構造は熱処理前とほとんど変化なく、各界面を安定に保持することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-29
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
関 光
北見工業大学工学部 電気電子工学科:(現)富士通
-
坂西 光一郎
北見工業大学工学部 電気電子工学科
-
池田 望
北見工業大学工学部 電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
坂西 光一郎
北見工業大学電気電子工学科:(現)日立製作所
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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