オージェ電子分光を用いたCu/Ta_2Al/Ta/Siコンタクト構造の熱的安定性の検討
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概要
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Si集積回路のCu配線技術に適合する材料開発を目指し、Cuに対する拡散バリヤとしてTa_2Al膜の作製条件を検討するとともに、Ta_2Al, Ta積層膜を拡散バリヤとすることでCu/Ta_2Al/Ta/Siのコンタクト構造を構成し、その熱的安定性を検討した。その結果、熱処理温度600℃までは、系は実質的に熱処理前と変わらず安定であり、650℃においてもTa/Si界面でTaシリサイドの形成反応が見られるもののCu/Ta_2Al界面は急峻で、Cu配線層が保存されており、Ta_2Al/Ta積層膜はCu配線に対する有効な拡散バリヤとなることが知られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-19
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
-
太田 陽
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
田口 雅裕
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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