W薄膜によるCu表面の酸化保護
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概要
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CuはAlに替わる次世代ULSIの配線材料として非常に有望であるが、その表面の酸化、腐食耐性の乏しさから、その適用に当たってはCu上に表面保護膜を設けること等が必要である。我々は、Cu表面の酸化保護膜としてCuと化合物を作らず、安定な酸化物を形成し得る高融点金属を用いることを提案し、そのような材料の候補として先にTa薄膜を用いて450℃程度までCu層を酸化から保護できることを報告した。本研究では、先の提案を更に拡張し、かつCuとの余分な拡散の要因を排除できるような材料の候補としてW薄膜に着目し、その酸化形態及びCu上の酸化保護性を検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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