VNx薄膜の作製条件の検討とその電気的特性
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概要
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岩塩型の結晶構造を有する遷移金属窒化物は、硬度が大で融点が高い等の物理的特徴から多くの注目を集めている。中でもVNは、NbNと共にこれまで主に超伝導材料としての側面から検討が重ねられてきた。その結果によると、VNx薄膜の室温抵抗率はNbNより低く作製も容易とはされているが、充分に化学量論的な膜は得られ難く、単結晶サファイヤ基板上に600℃でリアクティブスパッタした時に(111)面が単配向したVN膜となり、バルク特性に匹敵する値が報告されている。しかしながら、基板温度を比較的低く設定した場合、通常のパイレックス基板上にどの程度の品質のVNx膜が作製可能かは明確でない。そこで本研究では、このことをリアクティブスパッタガス中のN_2流量比との関係で調ベたので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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