(200)TiN高配向膜上への(111)Al高配向成長に及ぼすAl_3Ti中間介在層の影響
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概要
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(100)Si基板上への(200)高配向TiN薄膜の作製条件と, Al/Al_3Ti/TiN/Siコンタクト構造のAl_3Ti中間介在層の存在が, Alの配向性にいかなる影響を及ぼすかについて検討した。その結果, N_2流量比12%, 基板温度400℃の条件でn-(100)Si基板上にTiNを成膜すると, この膜は化学状態的にも, 原子組成的にも化学量論的となり, バルクに匹敵する抵抗率(24μΩcm)と格子定数が得られ, かつTiN(200)面が高配向することがわかった。また, その上にAl/Al_3Ti積層膜を堆積させると, 中間介在層となるAl_3Tiが化学量論的であれば, 各層が単配向した状態のAl(111)/Al_3Ti(112)/TiN(200)/Si(100)構造が得られた。この理由は, 各界面のミスマッチが小さいことに起因すると考えられ, Al_3Ti中間介在層の挿入はTiN(200)面上へAl(111)面を高配向させる上での有用な一方策と結論できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25
著者
-
大石 直也
北見工業大学工学部機能材料工学科 : (現)大倉電気株式会社
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
川村 みどり
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
Kamijyo Masahiro
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
川村 みどり
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
川村 みどり
北見工業大学マテリアル工学科
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