(111)Si上(111)Cu/(111)HfN2層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡張バリア特性
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概要
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エピタキシャル成長させた(111)HfN/(111)Si系に、上部配線層としてエレクトロマイグレーション耐性に優れた(111)Cuを、無加熱状態で連続エピタキシャル成長させることができた。そこで、(111)HfN膜を拡張バリアとしたとき、このコンタクト系が通常の層間絶縁膜形成に要求される400℃, 30分の熱処理に耐え得て、且つsub-0.1μmルールに適用可能か否かを確認するため、HfNバリア層の薄層化限界を検討した。その結果、HfNバリア層を80Åまで薄層化しても、通常の層間絶縁膜形成に要求される熱処理条件に耐え得るばかりでなく、(111)Si上の(111)Cu/(111)HfN2層膜は連続エピタキシャル成長状態を維持し得ることがわかった。従って、連続エピタキシャル成長させた(111)Cu/(111)HfN/(111)Siコンタクト系は、Si-LSIのCuメタライゼーション技術の信頼性を改善する上で有用な一方策になり得ることがわかった。
- 2000-10-19
著者
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
新海 聡子
日本学術振興会特別研究員(PD)
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
佐々木 克孝
北見工業大学
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