オージェ電子分光分析によるAl_3Zr/Zr/Siコンタクト系における界面固相反応の検討
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概要
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ZrをAlメタライゼーションの構成要素材料として適用する際の安定なコンタクト構造のあり方に関する基礎的知見を得るために,Al/Zr/Si,Al-Zr/Zr/SiおよびAl_3Zr/Zr/Siのコンタクト系を作製し,界面固相反応の挙動をAES分析等によって比較検討した.その結果,Al/Zr/Si系では,Al/Zr界面が自発反応系となるため熱処理以前でもAlとZrが相互拡散することが知られた.また,Al中にZrを過飽和に添加したAl-Zr/Zr/Si系では,熱処理以前は明りょうに分離された界面分布となるが,400℃の熱処理後では,Al-Zr/Zr間の反応に伴いZrが上層方向へ拡散することに伴ってZr層が消費され,安定なZrシリサイドの形成までは保障できないことがわかった.しかしながらAl_3Zr/Zr/Si系では,400℃以上の熱処理を経ることにより上層は結晶構造的にAl_3Zr金属間化合物膜として再結晶化しAl_3Zr/Zr界面は熱平衡状態となるため,この系の界面反応はZr/Si界面にのみ注目すればよく,安定なZrシリサイドの形成を保障できる系となることが知られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-25
著者
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