ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成

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概要

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• n-InPに対する高安定なオーミックコンタクトを実現するため、Cu-Zrアモルファス合金を適用し、その界面での拡散・反応の様態及び電気的特性を詳細に検討した。その結果、このアモルファス合金を適用することで、Cu固有の高い拡散性を十分に抑制でき、均一な反応層が得られることにより1×10^<-7>Ωcm^2という極めて低コンタクト抵抗のオーミックコンタクトが実現され、その特性は500℃RTA処理後においても十分に安定であったことから、Cu-Zrアモルファス合金は、n-InP上のオーミック電極として有用な材料の一つであることが明らかとなった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-07-21

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 武山 真弓

  北見工業大学電気電子工学科

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 野矢 厚

  北見工業大学電気電子工学科

• 板井 順一

  北見工業大学電気電子工学科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武山 真弓

  北見工業大学

• 野矢 厚

  北見工業大学

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